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　　英诺赛科发布声明称，由于英诺赛科的相关侵权产品已停止生产和销售，ITC发布的进口和销售禁令对英诺赛科目前的在美业务不构成实质性影响。

　　委员会终裁部分维持了2025年12月行政法官作出的初步裁定，但调整了部分认定理由：一方面确认英诺赛科侵犯481号专利的两项权利要求；另一方面部分推翻了初裁中关于专利有效性的认定，接受了英诺赛科对481号专利其他若干权利要求的无效抗辩。

　　（1）英飞凌就481号专利的权利要求1-4、6和17证明了侵权及国内产业要件中的技术要件（technical prong），且英诺赛科未能证明上述权利要求无效；

　　（2）英飞凌就US 9,070,755号专利的权利要求1-4、8、9未能证明侵权及技术要件，英诺赛科亦未提出无效抗辩；

　　（3）英飞凌就481号专利满足了国内产业要件中的经济要件（economic prong）。初步裁定同时附建议裁定（Recommended Determination），主张如委员会最终认定违反337条款，应发布有限排除令及针对被申请人的停止令。

　　相较于初步裁定，委员会终裁将481号专利的侵权认定收窄至两项权利要求（4与17），并就无效性分析作出部分相反认定，确认英诺赛科已证明该专利若干其他权利要求无效。即便如此，委员会基于剩余两项权利要求的侵权认定，仍认定构成337条款下的违反行为，并发布救济措施。

　　英飞凌与英诺赛科围绕氮化镓（GaN）功率半导体专利的纠纷自2024年起已横跨美、德、中三个法域。

　　2024年3月，英飞凌向美国加利福尼亚州北区联邦地区法院起诉英诺赛科及其美国子公司侵犯US 9,899,481号专利；2024年7月，美国英飞凌科技与美国英飞凌技术奥地利公司共同向美国ITC提起337调查申请，指控英诺赛科侵犯其四项专利，并请求委员会发布有限排除令及停止令，受指控公司包括：英诺赛科（苏州）科技股份有限公司、英诺赛科（苏州）半导体有限公司、英诺赛科（珠海）科技有限公司、美国英诺赛科。

　　调查推进过程中，英飞凌于2025年4月撤回US 8,264,003号专利的全部主张和US 9,899,481号专利的权利要求9，5月又撤回US 8,686,562号专利的全部主张，最终仅保留481号专利剩余权利要求和755号专利继续推进。

　　慕尼黑第一地区法院已于2024年8月就英飞凌DE5号专利作出一审判决，认定英诺赛科部分氮化镓产品构成侵权，判令禁止其在德国境内销售、许诺销售或制造侵权产品并赔偿损失。

　　德国专利局已以略作修正的形式确认英飞凌DE7号专利的有效性，相关侵权诉讼仍在慕尼黑地方法院审理中。据英飞凌公告，另有一项专利和一项实用新型的庭审定于2026年6月进行。

　　英诺赛科于2025年1月向苏州市中级人民法院起诉英飞凌科技（中国）有限公司及其关联公司，主张侵犯两项专利权（3.X：氮化物基半导体器件及其制造方法，0.7：一种 GaN 功率器件及其制备方法）。英飞凌中国公司、英飞凌无锡公司就案件管辖权提出异议，苏州中院经审理后，作出驳回该管辖权异议的一审裁定。

　　随后，英飞凌中国公司、英飞凌无锡公司不服两案管辖权异议一审裁定，向最高人民法院提起上诉，请求撤销两案管辖权异议一审裁定并将案件移送至无锡市中级人民法院审理。2025年5月，最高人民法院终审裁定，驳回英飞凌中国公司及无锡公司提出的管辖权异议上诉，确认苏州市中级人民法院对案件的管辖权。

　　英诺赛科发布公告回应称，美国ITC在第 337‑TA‑1414 号调查中作出最终裁定，确认英诺赛科当前的氮化镓（“GaN”）功率器件产品未侵犯英飞凌的相关专利，并可不受限制地继续在美国进口和销售。

　　ITC全体委员一致同意英诺赛科现有产品未侵犯英飞凌美国第 9,070,755 号专利（涉及电极设计）和第 9,899,481 号专利（涉及封装设计）。

　　不过，英诺赛科也承认，ITC委员会仅认定第9,899,481号专利中的两项权利要求有效且仅被英诺赛科早已停止生产和销售的历史旧产品侵权。因此，相关的进口和销售禁令对英诺赛科在美国的现有业务不具有实质影响。英诺赛科将继续不间断地向美国及全球客户供应其现有的GaN功率产品。