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　　国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“半导体处理中的等离子体蚀刻”的专利，公开号CN121925985A，申请日期为2024年7月。

　　专利摘要显示，半导体处理的方法可包括形成多种前驱物（例如，蚀刻剂前驱物、含氧前驱物和含硅和氟前驱物，如四氟化硅）的等离子体流出物。然后，等离子体流出物可接触半导体处理室的处理区域中的基板上的含硅材料和掩模材料。掩模材料中可具有一个或多个孔隙，以允许等离子体流出物触及含硅材料。使含硅材料和掩模材料与等离子体流出物接触可导致（i）用等离子体流出物蚀刻含硅材料以形成和/或加深含硅材料中的一个或多个特征，以及（ii）同时用等离子体流出物蚀刻掩模材料并在掩模材料上沉积含硅和氧的材料。

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