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瑞昱半导体申请集成电路模型数据集生成方法专利基于筛选后模型数据集生成内插!
发布于 2026-04-21 06:56 阅读()
国家知识产权局信息显示,瑞昱半导体股份有限公司申请一项名为“集成电路模型数据集的生成方法及生成装置”的专利,公开号CN121881945A,申请日期为2024年10月。
专利摘要九游app入口显示,本发明提供了一种集成电路模型数据集的生成方法及生成装置。生成方法包括下列步骤:获取多个参考模型数据集;生成参考数据趋势,并基于目标参数的目标参数值确定重点区域;基于参考数据趋势及重点区域获取多个筛选后模型数据集;以及将所述筛选后模型数据集输入递归机器学习模型,其中,递归机器学习模型依序执行内插程序及外插程序;在内插程序中,基于筛选后模型数据集生成内插模型数据集,在外插程序中,基于所述筛选后模型数据集及内插模型数据集生成对应于目标参数值的外插模型数据集,以作为目标模型数据集。
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