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　　金融界2024年12月12日消息，国家知识产权局信息显示，湖北江城芯片中试服务有限公司申请一项名为“一种光刻方法以及半导体设备”的专利，公开号 CN 119108267 A，申请日期为2024年9月。

　　专利摘要显示，本公开提供了一种光刻方法和半导体设备，其中，光刻方法包括：获取晶圆的积累电荷的电荷类型；向晶圆施加离子气体；其中，离子气体与积累电荷的电荷类型相反；对晶圆进行光刻工艺。也就是说，本公开在对晶圆进行光刻工艺之前，通过施加相反电荷类型的离子气体来中和晶圆上的积累电荷。这样，在后续对晶圆进行显影操作的过程中，避免产生显影残留，从而，避免显影残留对晶圆上的器件造成损伤，提升晶圆良率提升器件性能并且本公开不需要在光刻工艺后进行去除显影残留的操作，能够缩短生产周期，提高生产效率。九游体育